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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDD4N60NZ 

产品描述

MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

内部编号

3-FDD4N60NZ

#1

数量:1907
1+¥4.3148
25+¥4.0066
100+¥3.8525
500+¥3.6984
1000+¥3.5443
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:1120
10+¥4.688
20+¥4.572
100+¥3.514
200+¥3.426
400+¥3.249
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:1120
10+¥4.688
20+¥4.572
100+¥3.514
200+¥3.426
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDD4N60NZ产品详细规格

规格书 FDD4N60NZ datasheet 规格书
FDD4N60NZ
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.4A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 10.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 510pF @ 25V
功率 - 最大 114W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)

FDD4N60NZ系列产品

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